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陆旭兵

珠江学者特聘教授,博士和硕士研究生导师...

基本介绍

个人简介

 

陆旭兵,珠江学者特聘教授,博士和硕士研究生导师。目前研究的主要领域为电子信息材料及其器件集成与表征。在传统Si基半导体和有机半导体场效应晶体管的器件制备和表征,高介电材料/铁电薄膜材料制备及器件表征、微弱信号测试、CMOS集成电路工艺等方面积累了较为丰富的经验。与国际知名半导体公司有着较长时间的合作研究经历。如2000年-2004年间与Motorola半导体产品部数字基因实验室合作开展应用于下一代MOSFETLaAlO3高介电常数材料工作;2006年-2008年在东京工业大学与日本富士通公司合作研究高可靠性铁电场效应晶体管。在Adv. Mater, Adv. Electron. Mater, Appl. Phys. Lett等本领域的知名专业国际期刊上发表了SCI文章70余篇,至2016.06月止他引超过650次,第一作者单篇最高他引愈90次。获得授权美国专利一项,欧洲Wiley VCH出版社关于高介电材料的英文著作一章。

 

教育经历

 

1992-1996年,中南大学,学士

 

1996-1999年,中南大学,硕士

 

1999-2002年,南京大学,博士

 

工作经历

2002-2004年,北京大学,信息科学技术学院微电子研究院,博士后

2004-2005年,香港理工大学,应用物理系,Research Associate

2006-2008年,日本东京工业大学,电子及应用物理系,JSPS研究员

2008-2009年,日本产业技术综合研究所(AIST),纳米电子器件部,博士后

2009-2010年,日本国立材料研究所(NIMS),博士后

2010.04-2010.11,德国马普微结构物理所,洪堡研究员

2012/02-2013/01,德国马普微结构物理所,洪堡研究员

2010/12-至今,华南师范大学 教授

 

研究学科方向

 

1、  柔性薄膜晶体管材料与器件。高介电、低漏电绝缘介质材料的低温合成(湿化学、

喷墨印刷)与器件集成;低压驱动、高频响应薄膜晶体管及阵列电路研制。

2、  氧化物薄膜/异质结导电与电荷输运机制。铁电薄膜高质量外延生长与微结构表征;铁              

       电极化电荷与巡游电荷相互作用机制;薄膜与异质结导电及电荷输运机理。

3、  非挥发性存储材料与器件。高介电材料在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用;

       有机柔性存储材料与器件。

 

所获主要奖励和荣誉

2016 广东省珠江学者特聘教授

 

2009 马普微结构物理所 洪堡学者奖学金 (For experienced researcher) 德国洪堡基金会

 

2008 东京工业大学 丸文研究促成奖 丸文株式会社(日本)

 

2006 东京工业大学 日本文部省学术振兴会奖学金(JSPS fellowship)

 

科研项目

1、参与2016年度广东省前沿与关键技术创新项目:“可印刷高介电常数绝缘显示材料关键技术研究,项目批准号:2016B090907001, 负责金额:150.0 万元,执行时间:2016.01-2018.12。第二申请人,华南师范大学负责人。

 

2、参与2014年度广东省前沿与关键技术创新项目:” 可印刷高导互联显示用材料制备与关键技术研究,项目批准号:2014B090915004, 负责金额:25.0 万元,执行时间:2015.01-2017.12

 

3、主持国家自然科学基金面上项目:外延BaTiO3薄膜的导电性能调控及电荷输运机制研究,项目批准号:51472093,批准金额:83.0万元,执行时间:2015.01-2018.12

 

4、主持国家自然科学基金面上项目:基于高K浮栅的有机非易失性存储器件研究,批准号:61271127,批准金额:88.0万元,执行时间:2013.01-2016.12

 

5、主持国家自然科学基金重点项目子课题:金属导电性与铁电极化共存的新型功能材料设计与制备,项目批准号:51431006,执行时间:2015.01-2019.12,项目第二申请人,华南师范大学项目负责人,华师经费:150万元。

 

6、主持广东省高等学校人才引进项目:"全外延氧化物铁电场效应晶体管的研究,批准金额:50.0万元,执行时间:2012.01~2013.12

 

近年来主要论文

 

1.            Wenqiang He, Wenchao Xu, Qiang Peng, Chuan Liu, Guofu Zhou, Sujuan Wu, Min Zeng, Zhang Zhang, Jinwei Gao, Xingsen Gao, Xubing Lu(陆旭兵)*, and J. M. Liu, Surface Modification on Solution Processable ZrO2 high-k Dielectrics for Low Voltage Operations of Organic Thin Film Transistors, Journal of Physical Chemistry C. 120, 9949 (2016).

2.            J. Zhou, X. Jing, A. Marin, J. Dai, M. Qin, S. Wu, M. Zeng, J. Gao, X.B. Lu (陆旭兵)*, and J.M. Liu, Microstructure defects mediated charge transport in Nb-doped epitaxial BaTiO3 thin films, J. Phys. D: Appl. Phys. 49, 175302 (2016).

3.            Ming Li, Jian Zhou, Xiaosai Jing, Min Zeng, Sujuan Wu, Jinwei Gao, Zhang Zhang, Xingsen Gao, Xubing Lu* (陆旭兵), J. –M. Liu, and Marin AlexeControlling Resistance Switching Polarities of Epitaxial BaTiO3 films by Mediation of Ferroelectricity and Oxygen VacanciesAdvanced Electronic Materials. 1, 1500069(2015).

4.            Zhenjie Tang, Xubing Lu(陆旭兵), Yupeng Yang, Jing Zhang, Dongwei Ma, Rong Li, Xiwei Zhang, Dan Hu and Tingxian LiDependence of memory characteristics on the (ZrO2)x(SiO2)1x elemental composition for charge trap flash memory applications, Semicond. Sci. and Tech. 30, 065010 (2015).

5.            Kangrong Huang, Zhang Zhang, Qingwei Zhou, Liwei Liu, Xiaoyan Zhang, Mengyang Kang, Fuli Zhao, Xubing Lu(陆旭兵), Xingsen Gao and Junming Liu, Silver catalyzed gallium phosphide nanowires integrated on silicon and in situ Ag-alloying induced bandgap transition, Nanotechnology, 26, 255706(2015).

6.            Lina Zhao, Zengxing Lu, Fengyuan Zhang,Guo Tian,Xiao Song,Zhongwen Li,Kangrong Huang,Zhang Zhang, Minghui Qin, SujuanWu, Xubing Lu(陆旭兵), Min Zeng, Xingsen Gao, Jiyan Dai, and Jun-Ming Liu, Current rectifying and resistive switching in high density BiFeO3 nanocapacitor arrays on Nb-SrTiO3 substrates, Scientific Reports,5, 9680 (2015).

7.            Yayun Shao, Yang Zhang, Wenqiang He, Chuan Liu, Takeo Minari, Sujuan Wu, Min Zeng, Zhang Zhang, Xingsen Gao, Xubing Lu * (陆旭兵)  and J-M LiuRole of growth temperature on the frequency response characteristics of pentacene based organic devicesSemicond. Sci. and Tech. 30, 035005 (2015).

8.            Y. Zhang, Y. Y. Shao, X. B. Lu * (陆旭兵), M. Zeng, Z. Zhang, X. S. Gao, X. J. Zhang, J.-M. Liu, and J. Y. DaiDefect states and charge trapping characteristics of HfO2 films for high performance nonvolatile memory applicationsAppl. Phys. Lett.105, 172902 (2014). 

9.            M. Li, Y. Zhang, Y. Y. Shao, M. Zeng, Z. Zhang, X. S. Gao, X. B. Lu*(陆旭兵), J. M. Liu, and H.Ishiwara, Bi2SiO5 Doping Concentration Effects on the Electrical Properties of SrBi2Ta2O9 FilmsJ. Electronic Mater. 43, 3625(2014)

10.         Y. B. Lin, Z. B. Yan, X. B. Lu (陆旭兵), Z. X. Lu, M. Zeng, Y. Chen, X. S. Gao, J. G. Wan, J. Y. Dai, and J. M. Liu, Temperature-dependent and polarization tuned resistive switching in Au/BiFeO3/SrRuO3 junctions, Appl. Phys. Lett. 104, 143503(2014)

11.         Q. Miao, M. Zeng, Z. Zhang, X. B. Lu (陆旭兵), J. Y. Dai, X. S. Gao, and J. M. Liu, Self-assembled nanoscale capacitor cells based on ultrathin BiFeO3 films, Appl. Phys. Lett. 104, 182903 (2014).

12.         Q. W. Zhou, Z. Zhang, S. Senz, F. L. Zhao, L. J. Chen, X. B. Lu (陆旭兵), X. S. Gao,and J. M. Liu, Control of defects in a novel aluminum induced heteroepitaxial growth of Al xGal-xP nanocrystals on silicon nanowires, Scr. Mat. 89, 57(2014)

13.         S. X. Lin, X. G. Fang, A. H. Zhang, X. B. Lu (陆旭兵), J. W. Gao, X. S. Gao, M. Zeng, and J. M. Liu, Uniaxial strain-induced magnetic order transition from E-type to A-type in orthorhombic YMnO3 from first-principles, J. Appl. Phys. 116, 163705 (2014)

14.         C.Liu, Y.Xu, G.Ghibaudo, X.B.Lu(陆旭兵), T.Minari, and Y.Y.Noh, Evaluating injection and charge transport properties of organic field-effect transistors by the convergence point in transfer-length method. Appl. Phys. Lett. 104, 013310 (2014). 

15.         Y.H.Kim, X.B.Lu(陆旭兵), M.Diegel, R.Mattheis, D.Hesse, and M.Alexe, Gorwth temperature dependence of crystal symmetry in Nb-doped BaTiO3 thin films, J. Adv. Dielectrics 3, 1350009 (2013).

16.         X.B.Lu(陆旭兵), T.Minari, C.Liu, A.Kumatani, J.-M. Liu, and K.Tsukagoshi, Temperature dependence of frequency response characteristics in organic field-effect transistors. Appl. Phys. Lett. 100, 183308 (2012)

17.         X.B.Lu(陆旭兵), T.Minari, A.Kumatani, C.Liu, and K.Tsukagoshi, Effect of air exposure on metal/organic interface in organic  field effect transistors. Appl. Phys. Lett. 98, 243301 (2011).

18.         C.Liu, T.Minari, X.B.Lu(陆旭兵), A.Kumatani, K.Takimiya, and K.Tsukagoshi, Solution-Processable Organic Single Crystals with Bandlike Transport in Field-Effect Transistors. Adv. Mater. 23, 523 (2011).

19.         X.B.Lu(陆旭兵) and H.Ishiwara, Low-voltage operation and excellent data retention characteristics of metal-ferroelectric-insulator-Si devices based on organic ferroelectric films. J. Appl. Phys. 105, 084101 (2009).

20.         X.B.Lu(陆旭兵) and H.Ishiwara, Improved Electrical Properties of Sr0.8Bi2.2Ta2O9 Films by ZrSiO4 Doping for Low Voltage Operations of 1T Metal-Ferroelectric- Insulator-Si Devices. J. Appl. Phys. 105, 061626 (2009).

21.         X.B.Lu(陆旭兵), H.Ishiwara, X.Gu, D.Lubyshev, J.Fastenau, and R.Pelzel, Characteristics of Metal- Ferroelectric-Insulator- Semiconductor Diodes Composed of Pt Electrodes and Epitaxial Sr0.8Bi2.2Ta2O9(001)/SrTiO3(100)/ Si(100) Structures, J. Appl. Phys. 105, 024111(2009).

22.         G.L.Yuan, X.B.Lu(陆旭兵), H.Ishiwara, and A.Uedono, Positron annihilation studies on the oxygen vacancies in the HfSiON high-k films. J. J. Appl. Phys. 48, 111404 (2009).

23.         X.B.Lu(陆旭兵), K.Maruyama, and H.Ishiwara, Fabrication and Characterization of Metal -Ferroelectric- Insulator-Si Diodes and Transistors with different HfSiON Buffer Layer Thickness. J. Mater. Res. 23, 2727 (2008).

24.         X.B.Lu(陆旭兵), K.Maruyama, and H.Ishiwara, Metal-Ferroelectric-Insulator-Si Devices using HfTaO Buffer Layers. Semicond. Sci. and Tech. 23, 045002 (2008). 

25.         X.B.Lu(陆旭兵), H.Hoko, K.Maruyama, and H.Ishiwara, Characteristics of Metal-Ferroelectric - Insulator-Silicon Devices using HfSiON Buffer Layers. Integrated Ferroelectrics. 97, 84 (2008).

26.         X.B.Lu(陆旭兵), K.Maruyama, and H.Ishiwara, Characterization of HfTaO films for Gate Oxide and Metal-Ferroelectric- Insulator-Silicon Device Applications. J. Appl. Phys. 103, 044105(2008).

27.         G.Chakraborty, C.K.Sarkar, X.B.Lu(陆旭兵), and J.Y.Dai, Study of the Tunneling Initiated Leakage Current through the Carbon Nanotubes Embedded Gate Oxide in Metal Oxide Semiconductor Structures. Nanotechnology, 19, 255401 (2008).

 

著作

 

X.B.Lu(陆旭兵), High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology, Chapter 15: High-k Dielectrics in Ferroelectric Gate Field Effect Transistors for Nonvolatile Memory Applications, Weinheim (Germany), ISBN: 978-3-527-33032-4. Wiley- VCH Verlag GmbH & Co. 2012.08: 473-499. 

 

专利

 

J.Y.Dai, X.B.Lu(陆旭兵), P.F.Lee, Process and apparatus for fabricating nano-floating gate memories and memory made thereby, 2009.09, US Patent No. 7585721.

 

联系方式

 

电子邮件:luxubing@m.scnu.edu.cn; luxubingmail@163.com

 

通信地址:广州大学城华南师范大学华南先进光电子研究院理五栋512 510006

 

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